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Resumen
En este trabajo presentamos un estudio de las propiedades de transporte eléctrico de películas delgadas de Cu2ZnSnSe4 (CZTSe). Las peliculas de CZTSe fueron preparadas a través del método PVD, variando en un amplio rango la temperaturas de sustrato (T,) y la masa (Mx), (Mx = ZnSe, Cu). Las medidas de conductividad y resistividad en función de la temperatura fueron realizadas entre 120 y 400 K. Se evidenció que para la región de altas temperaturas (>300 K) los portadores son 18rmicamente activados con una única energía de activación que cambia con T, y Mx. Para la región de bajas temperaturas (<300 K), se estableció, para todas las muestras, que el mecanismo de transporte es hopping de rango variable (VRH). Se obtuvieron los parámetros hopping a partir del modelo Difusional y la Teoría de Percolación.
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Brammertz G., Ren Y., Buffiére M., Mertens S., Hendrickx J., Marko H., Zaghi A., Lenaers N., Kóble Ch., Vieugels J., Meuris M., Poortmans J., 2013. Electrical characterization of Cu2ZnSnSe4 solar cells from selenization of sputtered metal layers. Thin Solid Films, 535: 348-352.
Dussan A., Buitrago R. H., 2005. Transport mechanism in lightly doped hydrogenated microcrystalline silicon thin films. J. Appl. Phys., 97: 15.
Fahrettin Y., 2011. Nanostructure Cu2ZnSnS4 thin film prepared by sol-gel for optoelectronic applications. Sol. Energy, 85: 2518-2523.
Guo Q. J., Ford G. M., Yang W. Ch., Charles J. H., Hugh W. H., Rakesh A., 2012. Enhancing the performance of CZTSSe solar cells with Ge alloying. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 105: 131-136.
Ji L. Tuteng M., Ming W., Weifeng L., Guoshun J., Changfei Z., 2012. Appl. Surf. Sci., 258: 6261-6265.
Kuo D., Tsega M., 2014. The investigation of Cu2ZnSnSe4 bulks with x = 1.4-2.2 for debating the Cu excess and Cu deficiency used in thin-film solar cells. Mater. Res. Bull., 49: 608-613.
Lechner R., Jost S., Palm J., Gowtham M., Sorin F., Louis B., Yoo H., Wibowo R. A., Hock R., 2013. Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells processed by rapid thermal processing of stacked elemental layer precursors. Thin Solid Films, 535: 5-9.
Lee S. M., Mohanty B. Ch,, Jo Y. H., Yong S. Ch., 2013. Phase development, microstructure and optical properties of Cu2ZnSnSe4 thin films modified with Pb and Ti. Surf. Coat. Technol., 231: 389-393.
Lin S, Jun H., Hui K., Fangyu Y, Pingxiong Y, Junhao Ch., 2011. Structure, composition and optical properties of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by Pulsed Laser Deposition method. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 95: 2907-2913.
Mott N. E., 1969. Conduction in non-crystalline materials 11. Localized states in a pseudogap and near extremities of conduction and valence bands. Philos. Mag., 19: 835-852.
Redinger A., Mousel M., Djemour R., Giltay L., Valle N., Siebentritt S., 2013. Cu2ZnSnSe4 thin film solar cells produced via co-evaporation and annealing including a SnSe2 capping layer. Prog. Photovolf Res. Appl., DOI: 10.1002/pip.2324.
Salomé P.M.P., Fernandes P.A., Da Cunha A.F., 2009. Morphological and structural characterization of Cu2ZnSnS4 thin films grown by selenization of elemental precursor layers. Thin Solid Films, 517: 2531-2534.
Sena N., 2013. Tesis MSe: Caracterización eléctrica y estudio de las propiedades de transporte del compuesto Cu2ZnSnSe4 para ser usado como capa absorbente en celdas solares. Universidad Nacional de Colombia. Bogotá-Colombia.
Thamilselvan M., Premnazeer K., Mangalaraj D., Narayandass S. K., 2003. Field and temperature-dependent electronic transport parameters of amorphous and polycrystalline GaSe thin films. Phys. B, 337: 404-412.
Xie B, Tian C., Li W, Feng L., Zhang J., Wu L., Cai Y., Let Z, Yang Y., 2010. Preparation of p-type CdS thin films and in situ dark conductivity in vacuum deposited CdS:Cu films. Appl. Surf. Sci., 257: 1623-1627.
Yilmaz. S., Turkoglu 0., Belenli L., 2007. Synthesis of B-Phase (Bi2O3)x(Dy2O3) (0.01
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