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Resumen
Considerando que el transporte electrónico mediante la polarización de espín tiene un alto potencial en aplicaciones de dispositivos electrónicos, haciendo relevante el estudio de los efectos físicos inherentes al espín; se muestran con este trabajo resultados teóricos que permiten realizar investigaciones sobre posibles heteroestructuras óptimas para la fabricación de filtros de espín. La polarización de espín se analiza mediante el tunelamiento resonante en una doble barrera de potencial considerando la heteroestructura semiconductora de GaAs/Ga, Al As/GaAs. El modelo fisico-matemático que se presenta incluye la interacción de acoplamiento de espín tipo: k3-Dresselhaus y Rashba en las barreras, Rashba antes y después de ellas y Dresselhaus en el pozo. Además toda la heteroestructura es sometida a campo magnético constante y a presión hidrostática (PH); debido a estos efectos adicionales, el modelo también considera el factor g de Landé como función de la PH. Los cáiculos obtenidos para la polarización de espín está en función de la energía aplicada al electrón, el campo magnético y PH fijas.
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