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Resumen
Esguerra-Bónitto, M.: Estudio de los mecanismos de conducción en muestras semiconductoras de Ln Cu O (Ln = Y, La) cercanas a la transición metal- no metal. Rev. Acad. Colomb. Cienc. 17 (66): 559-566, 1990. ISSN 0370-3908.
Avan Mediciones de la resistencia eléctrica en muestras sinterizadas de Lantano indican la presencia de estados electrónicos localizados. La causa de dicha localización, que lleva a la conducción por saltos de rango variable, es atribuida a la ocupación aleatoria de sitios del Lantano por el Bario a lo largo del eje C. Este modelo es confirmado por diversos análisis complementarios.
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