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Resumen
En este trabajo se reporta el crecimiento de películas de diamante depositadas sobre silicio cristalino (111) por la técnica de HFCVD. La espectroscopía Raman permite evaluar la progresiva degradación de la calidad de las películas por el efecto combinado del aumento de la concentración de metano y la disminución de la temperatura del sustrato. Las películas de mejor calidad presentan un pico Raman agudo y estrecho con un FWHM de 8.07 cm-1, coincidente en su posición en 1332 cm-1 con el pico del diamante natural. La caracterización por AFM permite establecer criterios finos de calidad de las películas en función del tamaño de los granos y de la rugosidad de la superficie. El análisis por AFM de películas crecidas en iguales condiciones termodinámicas revela diferencias significativas de morfología. Las películas de diamante depositadas por HFCVD parecen reproducibles si se aplican los criterios de calidad de la espectroscopía Raman pero presentan diferencias significativas en la escala de resolución del AFM.
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