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Resumen
En este trabajo se describen las técnicas de caracterización óptica de fotoluminiscencia y fotorreflectancia, así como la técnica de crecimiento por epitaxia en fase líquida, que han permitido fabricar y realizar estudios de las propiedades físicas más relevantes de películas delgadas semiconductoras ternarias y cuaternarias. Se analizan muestras epitaxiales tipo p y n de GaAs y AlxGa1-xAs dopadas con Ge y Sn desde 10 a 300K, con diferentes variaciones de potencia del láser modulador. Se presenta un estudio de las características morfológicas del cuaternario GaInAsSb y se determinan los valores óptimos de parámetros de crecimiento que han permitido el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad cristalina.
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