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Resumen
En este trabajo se describen las técnicas de caracterización óptica de fotoluminiscencia y fotorreflectancia, así como la técnica de crecimiento por epitaxia en fase líquida, que han permitido fabricar y realizar estudios de las propiedades físicas más relevantes de películas delgadas semiconductoras ternarias y cuaternarias. Se analizan muestras epitaxiales tipo p y n de GaAs y AlxGa1-xAs dopadas con Ge y Sn desde 10 a 300K, con diferentes variaciones de potencia del láser modulador. Se presenta un estudio de las características morfológicas del cuaternario GaInAsSb y se determinan los valores óptimos de parámetros de crecimiento que han permitido el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad cristalina.
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André, R. & Le Si Dang. 1997. Low-temperature refractive indices of Cd1-xMnxTe and Cd1-yMgyTe, J. Appl. Phys. 82: 5086.
Bouhafs, B., Aorag, H., Ferhat, M., Zaoui, A., Certier, M. 1997. Theoretical analysis of disorder effects on electronic and optical properties in InGaAsP quaternary alloy, J. Appl. Phys. 82: 4923.
Chen, W., Wang, Z., Lin Z. & Lin, L. 1997. Thermoluminescence of ZnS nanoparticles, Appl. Phys. Lett. 70: 1465.
Cohen, M.L. & Chelikowsky, J.R. 1989. Electronic Structure and Optical Properties of semiconductors, edited by M. Ca, Springer Series in Solid-State Sciences 75 New York.
Feng, Z.C., Burke, M.G. & Choyke, W.J. 1988. Appl. Phys. Lett. 53: 128.
Fonthal, G. 2001. Estudio de la Impurificación de Capas Epitaxiales de GaAs y AlGaAs en el rango de leve hasta fuerte dopaje, por medio de fotoluminiscencia y fotorreflectancia. Tesis Doctoral, Universidades del Quindío y del Valle.
Godoy, A., Jiménez-Tejada, J.A., Palma, A. & Cartujo, P. 1997. Influence of the doping profile and deep level trap characteristics on generation-recombination noise, J. Appl. Phys. 82 (7): 3351.
J. J. Hsieh. 1974. Thickness and surface morphology of GaAs LPE layers grown by supercooling, stepcooling, equilibrium-cooling and two-phase solution techniques, J. Cryst. Growth, 27: 49-61.
Lastras-Martínez, A., Balderas-Navarro, R.E., Lastras-Martínez, L.F. & Cantú Alejandro, P. 1999. Photoreflectance spectroscopy of CdTe(001) around E1 and E1 + D1: Linear electro-optic spectrum, J. Appl. Phys. 86: 2062.
Lee, J., Giles, N.C., Rajavel, D. & Summers, C.J. 1995. Donor-acceptor pair luminescence involving the iodine A center in CdTe, J. Appl. Phys. 78: 5669.
M. Soltani, M. Certier, R. Evrard & E. Kartheuser. 1995. Photoluminescence of CdTe doped with arsenic and antimony acceptors, J. Appl. Phys. 78: 5626.
Nelson, H. 1963. Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication of tunnel and laser diodes, RCA Rev. 603: 24.
Pankove, J.I., 1971. Optical processes in Semiconductors, Prentice-Hall, Inc. New Jersey.
Pavesi, L. & Guzzi, M. 1994. Photoluminescence of AlxGa1-xAs alloys, J. Appl. Phys. 75: 4779.
Perkowitz, S. 1993. Optical Characterization of Semiconductors: Infrared, Raman and Photoluminescence Spectroscopy, Academic Press London.
Peters, M.G., Fahrenbruch, A.L. & Bube, R.H. 1988. Deposition and properties of zinc cadmium telluride films, J. Vac. Sci. Technol. A 6: 3098.
Sánchez-Almazan, F.G., Navarro-Contreras, H., Ramírez-Flores, G., Vidal, M.A., Zelaya-Ángel, O., Rodríguez, M.E. & Baquero, R. 1996. Temperature dependence of the band gap of Cd1–xZnxTe alloys of low zinc concentrations, J. Appl. Phys. 79: 7713.
Schuppler, S., Adler, D.L., Pfeiffer, L.N., West, K.W., Chaban, E.E. & Citrin, P.H. 1995. Identifying and quantifying point defects in semiconductors using x-ray-absorption spectroscopy: Si-doped GaAs, Phys. Rev. B 51 (16): 10527.
Segura, J.A. 2003. Fabricación del material semiconductor Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida. Trabajo de grado Ingeniería Electrónica. Universidad del Quindío.
Seraphin, A.A., Ngiam S.T. & Kolenbrander, K.D. 1996. Surface control of luminescence in silicon nanoparticles, J. Appl. Phys. 80: 6429.
Shim, K., Rabitz, H. & Dutta. 2000. Band gap and lattice constant of GaxIn1-xAsySb1-y, P., J. Appl. Phys, 88: 7157.
Suesawa, M., Kasuya, A., Nishina, Y. & Sumino, K. 1991. Opticalstudies of heat-treated Si-doped GaAs bulk crystals, J. Appl.Phys. 69 (12): 1618.
Tirado, L. 1999. Fabricación y caracterización de películas delgadassemiconductoras de Cd1-x-Ax-Te. Tesis Doctoral. Universi-dades del Quindío y del Valle.
Torres-Delgado, G., Castanedo-Pérez, R., Díaz-Arenciba, P.,Mendoza-Álvarez, J.G., Orozco-Vilchis, J. L., Murillo-Lara,M & Serra-Jones. 1995. Low temperature photoluminescencestudy in AlxGa1–xAs alloys in the indirect band gap region (x ³0.4), A., J. Appl. Phys. 78: 5090.
Torres-Delgado, G., Mendoza-Álvarez, J.G, López-Vásquez, C. &Alejo-Armenta, C., 1997. Photoluminescence andphotoreflectance studies of defects in GaAs epitaxial layersgrown by liquid phase epitaxy at different supercoolingtemperatures, J. Vac. Sci. Technol. A15: 971-975.
Wang, C.A.,Choi,H. K., Oakley, D.C. & Charache, G.W. 1998.Recent progress in GaInAsSb thermophotovoltaics grown byorganometallic vapor-phase epitaxy, J. Cryst. Growth 195: 346.
Wicks, G., Wang, W.I., Wood, C. E. C., Eatsman, L. F. & Rathbum,L. 1981.Photoluminescence of AlxGa1–xAs grown by molecularbeam epitaxy, J. Appl. Phys. 52: 5792.
Yu, P. & Cardona, M. 1996. Fundamentals of Semiconductors, edi-torial Springer-Verlag, p. 311 Berlín.
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